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[发明专利]薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置-CN202180007423.4在审
发明人：泉直史 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置，在从薄化晶片分离剩余晶片时，能够尽量不使薄化晶片破损。具备：脆弱层形成工序，形成沿着半导体晶片(WF)的一个面(WFA)的面状的脆弱层(WL)，并以该脆弱层(WL)为界将半导体晶片(WF)划分为薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)；以及分离工序，支撑半导体晶片(WF)中的薄化晶片(WF1)侧和剩余晶片(WF2)侧中的至少一个，使薄化晶片(WF1)与剩余晶片(WF2)分离，在分离工序中，使薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)从半导体晶片(WF)的外缘部的一端部(WFF)朝向该半导体晶片(WF)的外缘部的另一端部(WFR)逐渐分离。
晶片制造方法装置

[发明专利]薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置-CN202180006503.8在审
发明人：泉直史 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种薄化晶片的制造装置，能够在防止薄化晶片破损的情况下对该薄化晶片实施各种工序，其具备：分离构件(10)，其在由基材支撑构件(BS)支撑的半导体晶片(WF)上形成脆弱层(WL)，以该脆弱层(WL)为界将半导体晶片(WF)划分为薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)，并将该剩余晶片(WF2)从薄化晶片(WF1)分离；第一输送构件(20)，其输送由分离构件(10)将剩余晶片(WF2)分离后的薄化晶片(WF1)；处理构件(30)，其对由第一输送构件(20)输送的薄化晶片(WF1)实施规定的处理；第二输送构件(40)，其输送由处理构件(30)实施了规定的处理的薄化晶片(WF1)；以及加强部件粘贴构件(50)，其将加强部件(AS)粘贴于由第二输送构件(40)输送的薄化晶片(WF1)，其中，第一输送构件(20)和第二输送构件(40)将薄化晶片(WF1)与基材支撑构件(BS)一起输送。
晶片制造方法装置

[发明专利]薄晶片分离方法及其装置-CN201910814597.6有效
发明人：石敦智;黄良印 -专利权人：苏州均华精密机械有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种薄晶片分离装置，其具有：一座体单元；一负压单元，耦接座体单元；以及一刮刀单元，设于座体单元的顶端；其中，刮刀单元相对于座体单元升降，并且刮刀单元由座体单元的两侧端朝向座体单元的中央往复运动。薄晶片分离装置将贴附于膜体的薄晶片的两端予以撑高，再将位于薄晶片底端的膜体予以去除，以此使得薄晶片与膜体二者相互分离时，薄晶片能够保持其完整性，进而避免薄晶片产生毁损或断裂。一种薄晶片分离方法亦被同时揭露。
晶片分离方法及其装置

[发明专利]晶片的减薄方法-CN201110152394.9有效
发明人：谢红梅;刘煊杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片的减薄方法，包括：将待减薄的晶片固定到处理晶片的表面上；对所述待减薄的晶片进行减薄，使其具有第一厚度；在所述待减薄的晶片的表面形成覆盖其中心区域的光刻胶层；去除未被所述光刻胶层覆盖的所述待减薄的晶片；去除所述光刻胶层；以及对所述待减薄的晶片进行减薄，使其具有第二厚度。采用根据本发明的方法在保证待减薄的晶片不破裂的前提下，可以将待减薄的晶片减薄至100晶片方法

[发明专利]薄化晶片的方法-CN200610082732.5无效
发明人：郭治平 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-05-15 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄化晶片的方法。首先，提供晶片。接着利用黏着层将该晶片的正面接合于承载晶片上，该黏着层包括热释放胶带或紫外线胶带。随后进行薄化工艺，由该晶片的背面薄化该晶片。所述方法提升晶片薄化的厚度极限。
晶片方法

[发明专利]一种使晶片变薄的加工方法-CN201510480359.8在审
发明人：施勇 -专利权人：海门市明阳实业有限公司
申请日： 2015-08-08 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种使晶片变薄的加工方法，该方法包括：提供晶片；利用黏着层将所述晶片的正面接合于承载晶片上，所述黏着层包括热释放胶带或紫外线胶带；以及进行晶片薄化工艺，由所述晶片的背面薄化所述晶片；所述晶片薄化工艺包括等离子体蚀刻工艺和本发明利用热释放胶带或紫外线胶带接合晶片与承载晶片，可有效保护晶片正面的元件并解决晶片薄化后不易固定传输的问题；薄化后的晶片在不需去除热释放胶带或紫外线胶带的情况下即可进行后续工艺，可避免晶片受损；晶片薄化工艺可依据规格需求加以调整，并可有效解决应力问题；热释放胶带或紫外线胶带具有易分离特点，可避免晶片破裂。
一种晶片变薄加工方法

[发明专利]半导体装置制造方法-CN201980070330.9在审
发明人：辻直子;山川章;隅田克彦 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明的目的在于在经过制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中，提供在抑制晶片层叠体的翘曲的同时效率良好地制造半导体装置的方法。本发明的半导体装置制造方法至少包括准备工序、薄化工序、以及接合工序。在准备工序中，准备多个第1晶片层叠体。各第1晶片层叠体具有层叠结构，所述层叠结构包含分别具有元件形成面和与其相反的背面的第1晶片及第2晶片，且该第1及第2晶片的元件形成面侧彼此接合。在薄化工序中，将第1晶片层叠体的第1晶片薄化而形成具有该薄化第1晶片的第1晶片层叠体。在接合工序中，将经过薄化工序后的两个第1晶片层叠体的薄化第1晶片侧彼此接合，形成第2晶片层叠体。
半导体装置制造方法

[发明专利]自动热滑动剥离机-CN201080063171.9无效
发明人：詹姆斯·赫尔马诺夫斯基 -专利权人：休斯微技术光刻有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种用于剥离临时接合的晶片的改良装置，包括剥离机、清洗模块和贴胶带模块。在剥离机中使用了一个真空吸盘，用于固定剥离的减薄晶片，以及在后续的清洗和贴装到切割胶带上的处理步骤中，与减薄的剥离晶片保持在一起。在一个实施例中，剥离的减薄晶片保持在真空吸盘上，并随真空吸盘被移入清洗模块，然后被移入贴胶带模块。在另一个实施例中，剥离的减薄晶片保持在真空吸盘上，首先，清洗模块被移至减薄晶片的上方以清洗晶片，然后，贴胶带模块被移至减薄晶片的上方以在晶片上贴装切割胶带。
自动滑动剥离

[发明专利]一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法-CN201110375079.2有效
发明人：汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，包括：在GaAs晶片正面涂覆光刻胶，在该光刻胶上喷涂第一粘附剂；在蓝宝石载物片表面喷涂第二粘附剂，将该蓝宝石载物片表面与该GaAs晶片正面黏合；将黏合有GaAs晶片的该蓝宝石载物片安装在减薄夹具上；对该GaAs晶片背面进行初步减薄抛光；测量减薄后该GaAs晶片的厚度，当厚度小于100μm时停止减薄抛光；将该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片再次装入夹具进行精密抛光；监控减薄后该GaAs晶片的厚度，当该GaAs晶片的厚度≤30μm，停止抛光，并对该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片进行清洗。本发明提供的对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，避免了引入大尺寸的划伤，降低了GaAs表面损伤，粗糙度Ra达到很好的程度。
一种超薄厚度 gaas 晶片进行抛光方法

[发明专利]使用通过衬底去除或者转移的标准绝缘体上硅工艺的硅光子晶片-CN201310018024.5有效
发明人： F·E·多安;B·G·李;A·V·雷利亚科夫;C·L·朔;M·A·陶本布拉特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及使用通过衬底去除或者转移的标准绝缘体上硅工艺的硅光子晶片。提供了用于硅光子晶片的处理。接收包括有源硅光子层、薄掩埋氧化物层和硅衬底的硅光子晶片。薄掩埋氧化物层位于有源硅光子层和硅衬底之间。包括有源电层的电CMOS晶片同样被接收。硅光子晶片的有源硅光子层被倒装芯片接合到电CMOS晶片的有源电层。去除硅衬底以暴露薄掩埋氧化物层的背侧表面。低光学折射率衬背晶片被添加到薄掩埋氧化物层的暴露的背侧表面。低光学折射率衬背晶片是玻璃衬底或者硅衬底晶片。硅衬底晶片包括附着到薄掩埋氧化物层的厚氧化物层。
使用通过衬底去除或者转移标准绝缘体工艺光子晶片

[发明专利]晶片背面减薄的异常返工方法-CN202111537647.4在审
发明人：徐永;闵源 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供的晶片背面减薄的异常返工方法，用于对未完成背面减薄的异常晶片进行返工。所述异常返工方法包括：提供径向尺寸与异常晶片相同的支撑片；将支撑片背面朝上的传送至对准工作台上；检测支撑片背面的中心且暂停晶背减薄机台；在支撑片的背面上形成水膜；将异常晶片正面朝下的放置在支撑片的背面上，且使得异常晶片和支撑片的边缘重合，水膜将异常晶片与支撑片粘合；启动晶背减薄机台，传送机械手从异常晶片的背面抓取异常晶片和支撑片，在提升设定高度后，暂停晶背减薄机台；将支撑片从异常晶片的正面剥离；再次启动晶背减薄机台，将异常晶片传递到相应的研磨工作台。如此，可以对异常晶片进行返工，有助于提高产品的良率。
晶片背面异常返工方法

[发明专利]一种键合晶片的减薄方法-CN201310717819.5有效
发明人：王娉婷;奚民伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种键合晶片的减薄方法，在对器件晶片进行减薄之前，先使用磨轮对其边缘进行磨削，以去除其弧形边缘。本发明中在减薄工序之前使用磨轮对键合晶片进行了处理，磨去了器件晶片弧形的边缘，这就有效避免了键合晶片减薄过程中出现尖角，进而杜绝了器件晶片边缘破裂问题的发生，可以在保证器件晶片边缘不破裂的前提下，将其减薄至与现有减薄工艺相比，本发明不会对减薄机台和后续工艺造成任何污染，且所使用的设备简单，易于操作，工序简洁，大大提高了生产效率，降低了生产成本和设备成本。
一种晶片方法

[发明专利]晶片的薄化方法-CN201610569345.8有效
发明人：平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：提供晶片的薄化方法，不用对背面进行磨削便能将由SiC基板构成的在正面上具有多个器件的晶片薄化至规定的厚度。晶片的薄化方法对在SiC基板的第一面上形成有多个器件的晶片进行薄化，该晶片的薄化方法具有如下的步骤：分离起点形成步骤，从第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在SiC基板的第一面附近，并且使聚光点与SiC基板相对地移动而对该第二面照射激光束，形成与该第一面平行的改质层和裂痕而作为分离起点；以及晶片薄化步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，施加外力而从该分离起点将具有第二面的晶片从具有形成有多个器件的该第一面的晶片分离，从而对具有该第一面的晶片进行薄化。
晶片方法

[发明专利]用于X射线显微成像的曲面晶体制备方法-CN201810813058.6有效
发明人：杨正华 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于X射线显微成像的曲面晶体制备方法，包括以下步骤：S1：定向切割得厚晶片；S2：检测厚晶片是否合格；S3：将厚晶片研磨得到薄晶片；S4：检测薄晶片是否合格；S5：将基座胚料研磨得到曲面基座；S6：检测曲面基座是否合格；S7：清洗薄晶片和曲面基座；S8：将薄晶片和曲面基座光胶粘合得曲面晶体；S9：检查曲面晶体是否合格。采用本发明提供的用于X射线显微成像的曲面晶体制备方法，通过光胶粘合方式将薄晶片和曲面基座结合得到能够用于X射线显微成像的曲面晶体，该结合方式为薄晶片与基座间的分子键合，具备无胶合剂、无间隙、高质量面形、
用于射线显微成像曲面晶体制备方法

[发明专利]晶片加工方法-CN201210433482.0有效
发明人：卡尔·普利瓦西尔 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片加工方法，在不使晶片破损的前提下比以往时间短且廉价地将晶片薄化至预定厚度。其为将在外周具有倒角部的晶片薄化至预定厚度的晶片加工方法，其特征在于具备：层叠晶片形成步骤，将晶片的表面贴附于支承基板上以形成层叠晶片；倒角部除去步骤，将切削刀具定位于所述晶片的表面侧的外周侧面，并从在所述层叠晶片形成步骤形成的层叠晶片的外周侧向中心切入，将从所述晶片的表面至所述预定厚度的倒角部除去，所述切削刀具具有与所述层叠晶片的层叠方向平行的旋转轴线；以及薄化步骤，在所述倒角部除去步骤实施后，对所述层叠晶片的所述晶片的背面侧进行磨削以将晶片薄化至预定厚度
晶片加工方法

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